延迟和错误率令SSD前景蒙上阴影
互联网 / houtizong 发布于 3年前 49
加州大学和微软的研究发现(PDF)，随着芯片尺寸缩小，NAND Flash记忆体会出现显著的性能退化。当电路尺寸从今天的25nm缩小到6.5nm，SSD的延迟会增加一倍。加州大学的研究生Laura Grupp说，他们测试了7家SSD供应商的45种不同类型NAND Flash芯片，这些芯片采用了72nm到25nm的光刻工艺，发现芯片尺寸缩小伴随着性能退化和错误率增加。TLC (三层存储单元)NAND的性能最差，之后是MLC（双层存储单元）NAND和SLC(单层存储单元)NAND。研究人员说，由于性能退化，基于MLC NAND的固态硬盘难以超过4TB，基于TLC NAND的固态硬盘难以突破16TB，因此固态硬盘的未来之路可能在2024年到头。
上一篇：四名中国人因食龟肉面临驱逐出境
请勿发布不友善或者负能量的内容。与人为善，比聪明更重要！
技术博客集 - 网站简介：
前后端技术：
后端基于Hyperf2.1框架开发,前端使用Bootstrap可视化布局系统生成
网站主要作用：
1.编程技术分享及讨论交流，内置聊天系统;
2.测试交流框架问题，比如：Hyperf、Laravel、TP、beego;
3.本站数据是基于大数据采集等爬虫技术为基础助力分享知识，如有侵权请发邮件到站长邮箱，站长会尽快处理;
4.站长邮箱：[email protected];
文章归档
文章标签
友情链接
