惠普报告忆阻器取得突破进展

互联网  /  houtizong 发布于 3年前   107
《纽约时报》报道,惠普科学家周四报告他们在忆阻器设计上取得了重大突破。忆阻器是加州大学伯克利分校电机工程和计算机科学系蔡少棠教授于1971提出的、在2008年被惠普科学家确认存在的一种有记忆功能的非线性电阻器。去年惠普研究人员在《美国国家科学院学报》上报告(开放获取),他们设计出一种方法,能从三维忆阻器阵列中存储和检索信息。新的方案允许设计人员以类似摩天大楼的建筑风格堆叠成千上万的开关,创造出逼近极限的超致密计算设备。根据发表在最新一期《自然》杂志上的报告,惠普科学家发现记忆电阻器可进行一类基础逻辑运算,可用于数据处理和存储应用。

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