科学家研究基于量子点（quantum dots）的永久存储器
互联网 / houtizong 发布于 3年前 86
常用的存储器（DRAM）需要不间断的更新内容，闪存的优势是低能耗，具有更高的灵活性，劣势是它保存数据的时间只有10年，而且访问速度比DRAM慢很多。因此一个完美的记忆存储器既要具有闪存的数据不易损失性能，访问速度还应该远超DRAM，量子点（quantum dots）就能满足上述要求，它的电子属性是可调的。德国的研究人员在探索合适的可自我组装排列的量子点，以创造永久的存储器。他们正在实现访问时间10纳秒，更新频率在0.7Hz的新随机存储器。一般的闪存记忆能力依赖二氧化硅层的无穷大势垒，当在flash单元上写入数据时电子穿越障碍需要许多能量，而能量会破坏二氧化硅层，量子点则相反，它具有可调的属性，因此障碍能始终保持在较低高度。基于目前已知的材料属性和量子点的特殊性，研究人员预测他们能够创造一个保存数据长达1百万年的存储器，到时候，你可以对现有的任何存储设备说再见了。我们以前也提到过采用量子点的技术，如信息的心灵传输。
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